STP16N65M5-HXY_TO-220C_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:9A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:306mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET額定漏極電流為9A，漏源擊穿電壓達(dá)650V，導(dǎo)通電阻典型值為306mΩ，柵源驅(qū)動電壓范圍為-8V至@0V。器件采用碳化硅材料，具備優(yōu)異的高頻特性和高溫穩(wěn)定性，適用于對效率和功率密度要求較高的電力轉(zhuǎn)換場景。其低導(dǎo)通電阻有助于降低導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)整體能效，同時寬柵壓范圍增強了驅(qū)動兼容性與可靠性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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