TK190E65Z,S1X_TO-220C_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:20A 參數(shù)2：VDSS:800V 參數(shù)3：RDON:165mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備20A的連續(xù)漏極電流能力，漏源擊穿電壓為800V，導(dǎo)通電阻為165mΩ。其柵源電壓工作范圍為-10V至@5V，適用于需要高耐壓與高效開關(guān)性能的電力電子電路。碳化硅材料特性使其在高頻操作下仍保持較低的導(dǎo)通與開關(guān)損耗，適合用于高功率密度的電源系統(tǒng)、可再生能源轉(zhuǎn)換裝置以及對熱管理和效率有嚴(yán)格要求的場合。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
高新企業(yè)
