STW20NM65N-HXY_TO-247_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:25A 參數(shù)2：VDSS:800V 參數(shù)3：RDON:165mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET的漏極電流ID為25A，漏源擊穿電壓VDSS為800V，導(dǎo)通電阻RDS(ON)為165mΩ，柵源電壓VGS范圍為-8V至@0V。器件利用碳化硅材料特性，在高電壓應(yīng)用中展現(xiàn)出優(yōu)異的開(kāi)關(guān)性能和熱穩(wěn)定性。適用于對(duì)效率、體積和散熱有較高要求的電源轉(zhuǎn)換場(chǎng)合，如高頻開(kāi)關(guān)電源、光伏逆變系統(tǒng)及高功率密度電能變換模塊，能夠在嚴(yán)苛電氣環(huán)境下保持可靠運(yùn)行。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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