IPP65R190CFDXKSA2-HXY_TO-220C_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:20A 參數(shù)2：VDSS:800V 參數(shù)3：RDON:165mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本款N溝道碳化硅MOSFET具有800V的漏源擊穿電壓（VDSS）和20A的連續(xù)漏極電流（ID）能力，導(dǎo)通電阻（RDS(on)）典型值為165mΩ，有助于減少導(dǎo)通損耗并提升系統(tǒng)效率。柵源電壓范圍為-10V至@5V，支持穩(wěn)定驅(qū)動與負壓關(guān)斷，增強工作可靠性。得益于碳化硅材料的寬禁帶特性，器件具備優(yōu)異的高溫耐受性與快速開關(guān)性能。適用于高功率密度、高頻率的電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用，如高效能電源模塊、可再生能源逆變裝置、儲能系統(tǒng)功率級及大功率DC-DC變換器設(shè)計。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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