SIHH21N65EF-T1-GE3-HXY_DFN8X8B_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8B 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:25A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:165mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET的漏極連續電流為25A，漏源擊穿電壓達800V，導通電阻為165mΩ。柵源電壓工作范圍為-8V至@0V，支持標準邏輯電平驅動并具備良好的抗誤觸發能力。器件利用碳化硅材料特性，在高電壓、高頻開關條件下保持較低的導通與開關損耗，適用于高效率電源轉換、可再生能源系統及高性能電力電子設備中的功率開關環節。
