SPP20N65C3XKSA1-HXY_TO-220C_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:20A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:165mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備800V的漏源擊穿電壓（VDSS）和20A的連續漏極電流（ID），導通電阻（RDS(on)）典型值為165mΩ，可有效降低導通損耗。柵源電壓范圍為-10V至@5V，支持穩定可靠的柵極驅動控制。基于碳化硅材料的優異特性，器件具有較高的開關速度和耐溫能力，適用于高功率密度的電源轉換系統。廣泛用于高效直流變換器、高壓逆變裝置及大功率開關電源模塊，在高頻工作條件下仍能保持良好的熱性能與電氣穩定性。
