SIHG21N65EF-GE3-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:25A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:165mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該碳化硅場效應管為N溝道結構，最大漏極電流ID為25A，漏源擊穿電壓VDSS達800V，導通電阻RDS(ON)為165mΩ，柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V。器件采用碳化硅材料，具備高耐壓與低導通損耗特性，適用于對效率和熱性能要求較高的電力轉換場景。其寬柵壓范圍增強了驅動兼容性，適合在高頻開關條件下穩定運行，滿足多種電源管理與能量轉換系統的設計需求。
