IXTH20N65X2-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:25A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:165mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有25A的連續漏極電流能力，漏源擊穿電壓為800V，導通電阻為165mΩ，柵源電壓工作范圍為-8V至@0V。得益于碳化硅材料的特性，器件在高頻開關條件下仍能保持較低的導通與開關損耗，適用于對效率和熱性能要求較高的電源轉換場合。其電氣參數適合用于緊湊型、高功率密度的電力電子系統中，支持穩定可靠的運行表現。
