IPA65R190C7XKSA1-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:11A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:165mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備11A的漏極電流能力，漏源擊穿電壓為800V，導通電阻為165mΩ，柵源電壓工作范圍為-8V至@0V。器件利用碳化硅材料的高擊穿場強與低導通損耗特性，適合在高頻、高效率的電源拓撲中使用，如開關電源、光伏逆變器及高密度功率轉換模塊。其參數組合有助于降低系統能耗并簡化熱管理設計。
