IXFP18N65X2_TO-220C_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:20A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:165mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該碳化硅場效應管（MOSFET）為N溝道結構，具有20A的連續漏極電流（ID）和800V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）為165mΩ。柵源驅動電壓范圍為-10V至@5V，適用于高效率、高頻率的功率轉換場景。其寬電壓驅動能力增強了系統設計的靈活性，同時碳化硅材料特性有助于降低開關損耗與導通損耗，在對能效和熱管理要求較高的電力電子應用中表現優異。
