UJ3C065030K3S-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:99A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:26mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET的連續漏極電流為99A，漏源擊穿電壓達650V，導通電阻為26mΩ，柵源電壓工作范圍為-10V至@5V。憑借碳化硅材料的物理特性，器件在高頻開關條件下仍能保持較低的導通與開關損耗，適用于高效率電源轉換、可再生能源系統及高頻電力電子設備。其寬柵壓范圍增強了驅動兼容性，同時低導通電阻有助于減少發熱，提升系統整體可靠性與緊湊性。
