IPT65R033G7XTMA1-HXY_TOLLS_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TOLLS 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2000/圓盤 參數1：ID:99A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:26mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備99A的連續漏極電流（ID）與650V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）為26mΩ，可在-10V至@5V的柵源電壓（VGS）范圍內可靠運行。器件利用碳化硅材料優勢，在高頻開關條件下保持較低的導通與開關損耗，適用于對效率、熱管理和緊湊布局有較高要求的電源轉換及高功率密度系統。
