TW027N65C,S1F_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:99A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:26mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備99A的連續漏極電流（ID）和650V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(on)）為26mΩ，柵源電壓（VGS）工作范圍為-10V至@5V。得益于碳化硅材料的高擊穿場強與熱導率，器件在高頻開關和高功率密度應用中表現出優異的動態特性和熱穩定性。其低導通電阻有助于降低傳導損耗，而寬VGS范圍則增強了與多種驅動電路的兼容性，適用于高效電源轉換、儲能系統及類似高要求電力電子場景。
