SCT3030ALGC11-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:99A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:26mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有99A的連續漏極電流能力，最大漏源電壓為650V，導通電阻低至26mΩ，柵源驅動電壓范圍為-10V至@5V。憑借碳化硅材料的特性，器件在高頻、高溫環境下仍能保持優異的開關性能與導通效率，適用于對功率密度和能效要求較高的電力轉換系統。其低RDS(on)有助于減少導通損耗，提升整體系統效率，同時寬VGS范圍增強了驅動兼容性與可靠性。
