C3M0025065L-TR-HXY_TOLLS_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TOLLS 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2000/圓盤 參數1：ID:99A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:26mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET的連續漏極電流（ID）為99A，漏源擊穿電壓（VDSS）達650V，導通電阻（RDS(ON)）為26mΩ，柵源電壓（VGS）工作范圍為-10V至@5V。器件基于碳化硅工藝，在高頻開關應用中展現出低導通損耗與優異的熱性能，適用于高效率、高功率密度的電源系統，如服務器電源、可再生能源轉換裝置及高頻DC-DC變換器等場景。
