UF3C065030K4S-HXY_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:99A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:26mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有99A的連續漏極電流能力，最大漏源電壓為650V，導通電阻低至26mΩ，柵源電壓工作范圍為-10V至@5V。得益于碳化硅材料特性，器件在高頻開關條件下仍能保持較低的導通與開關損耗，適用于高效率、高功率密度的電源轉換場合。其寬柵壓范圍增強了驅動兼容性，同時有助于提升系統在復雜電氣環境下的穩定運行能力。
