IMZA65R015M2HXKSA1_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:189A 參數2：VDSS:750V 參數3：RDON:11mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET的連續漏極電流（ID）為189A，漏源擊穿電壓（VDSS）達750V，導通電阻（RDS(ON)）為11mΩ，柵源電壓（VGS）工作范圍為-8V至@0V。器件基于碳化硅工藝，具備低導通損耗與快速開關特性，適用于高效率電源轉換、可再生能源系統及高頻電力電子設備。其寬電壓驅動能力與高電流承載能力有助于在緊湊布局中實現穩定可靠的功率控制。
