IPT65R018CM8XTMA1_TOLLS_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TOLLS 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2000/圓盤 參數(shù)1：ID:189A 參數(shù)2：VDSS:750V 參數(shù)3：RDON:11mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具有750V的漏源擊穿電壓（VDSS）和189A的連續(xù)漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）低至11mΩ，支持-10V至@5V的柵源驅(qū)動電壓范圍。憑借碳化硅材料的高擊穿場強(qiáng)與優(yōu)異熱導(dǎo)率，器件在大電流、高電壓條件下仍能維持高效開關(guān)性能與低導(dǎo)通損耗，適用于高功率密度電源、可再生能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)及對效率和散熱要求嚴(yán)苛的電力電子應(yīng)用。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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