IMW65R015M2HXKSA1_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:218A 參數2：VDSS:750V 參數3：RDON:11mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備218A的連續漏極電流（ID）和750V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）為11mΩ，柵源電壓范圍為-10V至@5V。器件利用碳化硅材料特性，支持高頻開關操作，具有較低的導通與開關損耗，適用于高效率電源轉換系統。其寬柵壓范圍增強了驅動兼容性，同時在高溫環境下仍能保持穩定電氣性能，適合對功率密度和熱管理有較高要求的應用場合。
