AOM015V65X2_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:189A 參數2：VDSS:750V 參數3：RDON:11mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備189A的連續漏極電流能力，最大漏源電壓為750V，導通電阻低至11mΩ，柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V。器件采用碳化硅材料，具有優異的高溫穩定性和高頻開關特性，適用于對效率和功率密度要求較高的電力轉換場景。其低導通損耗與高耐壓能力使其在高負載條件下仍能保持良好性能，適合用于各類高效電源系統及能量轉換裝置中。
