IMT65R015M2HXUMA1_TOLLS_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TOLLS 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2000/圓盤 參數1：ID:189A 參數2：VDSS:750V 參數3：RDON:11mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備750V的漏源擊穿電壓（VDSS）和189A的連續漏極電流（ID），導通電阻（RDS(ON)）低至11mΩ。其柵源電壓范圍為-10V至@5V，支持寬范圍驅動條件下的穩定運行。憑借碳化硅材料的高熱導率與低開關損耗特性，該器件適用于高功率密度、高效率要求的電源系統，如服務器電源、光伏逆變器及高頻開關應用中的主功率開關環節。
