STL12N65M5-HXY_DFN5X6-8L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:9A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:410mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和9A的連續(xù)漏極電流（ID），導通電阻（RDS(ON)）為410mΩ，柵源驅(qū)動電壓范圍為-8V至@0V。器件采用碳化硅材料，具備優(yōu)異的高溫穩(wěn)定性和開關(guān)性能，適用于對效率和熱管理要求較高的高頻電源轉(zhuǎn)換場景。其低導通損耗與快速開關(guān)特性有助于提升系統(tǒng)整體能效，適合用于各類高密度、高效率的電力電子應(yīng)用中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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