FDMS86101A_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:75A 參數(shù)2：VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:6.4mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有75A的連續(xù)漏極電流（ID）和100V的漏源擊穿電壓（VDSS），導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為6.4毫歐。其較低的導(dǎo)通電阻有助于減少導(dǎo)通狀態(tài)下的功率損耗，提升系統(tǒng)整體效率。器件適用于中高功率的電源管理、電機(jī)控制及開關(guān)電源等應(yīng)用場合，在兼顧電流承載能力與電壓耐受性的基礎(chǔ)上，能夠支持較高頻率的開關(guān)操作，滿足對熱穩(wěn)定性和能效有要求的電子系統(tǒng)設(shè)計需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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