AOT15S65L_TO-220C_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:9A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:306mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET額定漏極電流為9A，漏源擊穿電壓達650V，導通電阻為306mΩ，柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V。基于碳化硅材料特性，器件在高頻開關條件下表現出較低的導通與開關損耗，適用于高效率電源轉換、可再生能源系統及各類緊湊型電力電子裝置中，有助于提升整體能效并減小系統體積。
