NVMFWS004N10MCT1G-HXY_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:120A 參數(shù)2：VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:3.6mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具備120A的連續(xù)漏極電流能力與100V的漏源擊穿電壓，導(dǎo)通電阻低至3.6毫歐。其低導(dǎo)通電阻有助于減少導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)效率，在高電流應(yīng)用場景中表現(xiàn)出良好的熱穩(wěn)定性和功率處理能力。器件適用于對功率密度和能效有較高要求的電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動及開關(guān)電路等場合，能夠有效支持高頻操作并降低整體功耗。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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