IPP65R125C7XKSA1-HXY_TO-220C_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:30A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:94mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具有30A的漏極電流能力，漏源擊穿電壓達(dá)650V，導(dǎo)通電阻為94mΩ，柵源驅(qū)動(dòng)電壓范圍為-10V至@5V。器件利用碳化硅材料的高擊穿電場(chǎng)與熱導(dǎo)率優(yōu)勢(shì)，在高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出較低的導(dǎo)通損耗和良好的熱穩(wěn)定性。適用于高效率電源轉(zhuǎn)換、可再生能源系統(tǒng)及各類緊湊型電力電子裝置，能夠在提升系統(tǒng)效率的同時(shí)減少對(duì)散熱結(jié)構(gòu)的依賴。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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