ITF86130SK8T-HXY_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：ID:18A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:5mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有18A的連續漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS）、5mΩ的導通電阻（RDS(ON)），以及20V的最大柵源電壓（VGS）。其低導通電阻有助于減少功率損耗，提升系統效率，適用于中等功率的開關電源、電池供電設備及負載開關等應用場景。器件在高頻操作下仍能保持穩定的電氣性能，適合對體積和熱管理有較高要求的電子系統。
