STL34N65M5-HXY_DFN8X8B_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8B 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:37A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:94mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備37A的連續(xù)漏極電流與650V的漏源擊穿電壓，導通電阻為94mΩ，在柵源電壓范圍-10V至@5V內(nèi)穩(wěn)定工作。器件利用碳化硅材料特性，在高頻、高效率電力轉(zhuǎn)換場景中展現(xiàn)出優(yōu)異的開關性能與熱穩(wěn)定性，適用于對能效和功率密度有較高要求的電源系統(tǒng)，如服務器電源、可再生能源逆變器及高頻率開關電源等應用場合。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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