IPP65R280C6XKSA1-HXY_TO-220C_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:9A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:306mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS），在25℃條件下可支持9A的連續漏極電流（ID），導通電阻（RDS(on)）為306mΩ。柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V（VGS），適用于多種驅動電路配置。器件基于碳化硅材料，具備快速開關能力與較低的導通損耗，在高頻率、高效率要求的電源轉換和功率管理應用中表現良好。
