SPP24N60CFDHKSA1-HXY_TO-220C_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:20A 參數(shù)2：VDSS:800V 參數(shù)3：RDON:165mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具備20A的連續(xù)漏極電流，漏源擊穿電壓為800V，導(dǎo)通電阻為165mΩ，柵源驅(qū)動電壓范圍為-10V至@5V。器件利用碳化硅材料特性，在高電壓應(yīng)用中展現(xiàn)出較低的導(dǎo)通損耗和良好的開關(guān)性能。適用于對效率與熱管理有較高要求的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，可在高頻工作條件下維持穩(wěn)定運(yùn)行，滿足緊湊型高耐壓電路的設(shè)計需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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