IPL65R310E6AUMA1-HXY_DFN8X8B_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8B 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:14A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:315mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有14A的連續漏極電流能力，漏源電壓額定值為650V，導通電阻為315mΩ，柵源電壓工作范圍為-8V至@0V。得益于碳化硅材料的物理特性，器件在高頻開關操作中展現出較低的開關損耗與良好的熱穩定性，適用于高效率電源轉換、光伏逆變、服務器電源及類似對能效和功率密度有較高要求的應用場景。
