SPP20N65C3HKSA1-HXY_TO-220C_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:20A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:165mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有20A的連續漏極電流能力，漏源擊穿電壓為800V，導通電阻為165mΩ，柵源驅動電壓范圍為-10V至@5V。基于碳化硅材料的特性，器件在高電壓條件下仍能保持較低的導通損耗和優異的開關速度，適用于對效率、體積和熱性能有較高要求的電源轉換場景，尤其適合高頻、高耐壓的電力電子系統。
