TK099V65Z,LQ_DFN8X8B_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8B 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:37A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:75mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET額定漏極電流為37A，漏源電壓耐受能力達650V，導(dǎo)通電阻為75mΩ，柵源驅(qū)動電壓范圍為-8V至@0V。器件基于碳化硅材料，具備優(yōu)異的高溫穩(wěn)定性和高頻開關(guān)特性，適用于高效率電源轉(zhuǎn)換、可再生能源系統(tǒng)及高頻電力電子設(shè)備。其低導(dǎo)通電阻有助于降低通態(tài)損耗，提升整體能效表現(xiàn)，同時支持高功率密度設(shè)計。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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