TK17E65W,S1X_TO-220C_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:20A 參數(shù)2：VDSS:800V 參數(shù)3：RDON:165mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管為N溝道結(jié)構(gòu)，額定漏極電流ID為20A，最大漏源電壓VDSS達(dá)800V，導(dǎo)通電阻RDS(ON)為165mΩ，柵源驅(qū)動(dòng)電壓范圍為-10V至@5V。器件采用碳化硅材料，具備高耐壓與低導(dǎo)通損耗特性，適用于對(duì)效率和功率密度要求較高的電力轉(zhuǎn)換場(chǎng)景。其寬柵壓范圍增強(qiáng)了驅(qū)動(dòng)兼容性，同時(shí)在高頻開(kāi)關(guān)條件下仍能保持良好的熱穩(wěn)定性與電氣性能。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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