IXFP34N65X2_TO-220C_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:30A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:94mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET額定漏極電流為30A，漏源擊穿電壓達650V，導通電阻為94mΩ，柵源電壓工作范圍為-10V至@5V。器件利用碳化硅材料優勢，在高頻開關操作中表現出較低的導通與開關損耗，適用于高效率電源轉換、可再生能源系統及高功率密度電力電子設備。其低導通電阻有助于降低功耗，而寬柵壓范圍提升了驅動電路的設計靈活性與運行穩定性。
