IPP65R190CFDAAKSA1-HXY_TO-220C_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:20A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:165mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道碳化硅場效應管具備800V的漏源擊穿電壓（VDSS）和20A的連續漏極電流（ID），導通電阻低至165mΩ，有助于減少導通損耗并提升系統能效。柵源電壓范圍為-10V至@5V，確保器件在驅動過程中的穩定性和可靠性。基于碳化硅材料的物理特性，該器件展現出優異的高溫穩定性、高耐壓能力以及快速開關響應。適用于高功率密度電源轉換應用，如高效AC-DC/DC-DC變換器、高壓逆變裝置、可再生能源發電系統中的功率調節模塊以及對熱性能和電氣性能要求較高的電力電子設備。
