FDD6696_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:60A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:7mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具備60A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至7毫歐。其大電流承載能力與極低導通損耗特性，使其適用于高效率電源轉換、大功率負載開關及電池供電系統等場合。在高頻開關操作中，器件可維持較低的溫升，有助于實現緊湊布局與穩定運行，滿足對能效和空間有較高要求的電子應用。
