TK50P03M1(T6RSS-Q)_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:80A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:5mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有80A的連續漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS）以及5毫歐的導通電阻（RDS(ON)）。其低導通電阻有助于在大電流工作狀態下顯著降低導通損耗，提升系統效率。器件適用于對功率密度和熱管理有較高要求的電源轉換場合，能夠在高頻開關條件下保持穩定性能，滿足緊湊型電子設備中對高效功率控制的需求。
