SISA10BDN-T1-GE3-HXY_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:100A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:2.5mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET支持100A的連續漏極電流（ID），漏源擊穿電壓（VDSS）為30V，導通電阻（RDS(ON)）低至2.5mΩ。憑借極低的導通阻抗，器件在高電流應用中可有效抑制功率損耗與溫升，適用于高效電源轉換、大電流開關電路及電機驅動等場景。其電氣特性有利于提升系統整體效率，并在緊湊型設計中實現良好的熱管理表現。
