NTD4970NT4G-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:60A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:7mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備60A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）為7毫歐。憑借低導通電阻與高電流承載能力，器件在大電流開關應用中可有效降低導通損耗，提升系統效率。適用于電源管理、電機控制、電池保護及各類高效率功率轉換電路，在持續高負載條件下仍能保持良好的熱性能與穩定性。
