BSC032N04LSATMA1-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:130A 參數2：VDSS:40V 參數3：RDON:2.8mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備130A的連續漏極電流（ID）和40V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）僅為2.8毫歐。其極低的導通電阻有助于顯著降低導通損耗，在高電流工作條件下維持較低溫升。適用于對效率和熱性能要求較高的電源轉換、大電流開關以及電池管理系統等應用場景，能夠支持頻繁開關操作并保持穩定可靠的電氣特性。
