FDMC7672_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:60A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:4mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具備60A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）為4毫歐。低導通電阻有助于在高電流工作條件下有效降低功率損耗與溫升，提升整體能效。其電氣特性適合用于需要頻繁開關或持續大電流傳輸的電路中，例如電源轉換模塊、電機驅動單元以及便攜式儲能設備中的功率控制環節，能夠保障系統運行的穩定性與響應速度。
