STP120NF10-HXY_TO-220C_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:70A 參數2：VDSS:100V 參數3：RDON:8.5mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備70A的連續漏極電流（ID）、100V的漏源擊穿電壓（VDSS）、8.5毫歐的導通電阻（RDS(ON)），以及20V的最大柵源電壓（VGS）。其參數組合使其在中等功率應用中具有良好的導通特性和電壓耐受能力。較低的RDS(ON)有助于控制導通損耗，適用于開關電源、電機驅動及高效能電源轉換等場景，在保障可靠運行的同時支持較高的開關頻率。
