DMT67M8LPSW-13-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:100A 參數2：VDSS:60V 參數3：RDON:3.7mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET支持100A的連續漏極電流，最大漏源電壓為60V，導通電阻僅為3.7毫歐，具備優異的導通性能。低導通電阻有效降低功率損耗，提升整體能效，適用于高電流、高效率要求的電源管理、電機控制及開關電源等應用。器件在高頻開關條件下仍能保持穩定的電氣特性，適合對熱管理和動態響應有較高要求的電子系統。
