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三星M386A8K40DM2-CWE低負載雙列直插式存儲模塊64GB 4R x 4 3200 Mbps 1.2 V 288FBGA

M386A8K40DM2-CVF低負載雙列直插式存儲模塊64GB 4R x 4 2933 Mbps 1.2 V 288FBGA

M386A8K40DM2-CTD低負載雙列直插式存儲模塊64GB 4R x 4 2666 Mbps 1.2 V 288FBGA

M474A4G43AB1-CVF帶錯誤檢查和糾正的小型無緩存雙列直插式內存模塊32GB 2R x 8 2933 Mbps 1.2 V 260FBGA

M474A2K43DB1-CVF帶錯誤檢查和糾正的無緩沖雙列直插式存儲模塊16GB 2R x 8 2933 Mbps 1.2 V 260FBGA

M474A2K43DB1-CTD帶錯誤檢查和糾正的小型無緩存雙列直插式內存模塊16GB 2R x 8 2933 Mbps 1.2 V 260FBGA

M474A1K43DB1-CVF帶錯誤檢查和糾正的無緩沖雙列直插式存儲模塊8GB 1R x 8 2933 Mbps 1.2 V 260FBGA

M474A1K43DB1-CTD帶錯誤檢查和糾正的無緩沖雙列直插式存儲模塊8GB 1R x8 2666 Mbps 1.2 V 260FBGA

M474A1G43EB1-CRC帶錯誤檢查和糾正的小型無緩存雙列直插式內存模塊8GB 2R x 4 2400 Mbps 1.2 V 260FBGA

M474A1G43EB1-CPB帶錯誤檢查和糾正的無緩沖雙列直插式存儲模塊8GB 2R x 8 2133 Mbps 1.2 V 260FBGA

M393A4K40DB3-CWE帶存儲器的雙列直插式存儲模塊32GB 2R x 4 3200 Mbps 1.2 V 288FBGA

M393A2K43DB3-CWE帶存儲器的雙列直插式存儲模塊16GB 2R x8 3200 Mbps 1.2 V 288FBGA

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M393A1K43DB2-CWE帶存儲器的雙列直插式存儲模塊8GB 1R x 8 3200 Mbps 1.2 V 288FBGA

M386ABG40M51-CAE低負載雙列直插式存儲模塊256GB 8R x 4 3200 Mbps 1.2 V 288FBGA

M386AAG40AM3-CWE低負載雙列直插式存儲模塊128GB 4R x 4 3200 Mbps 1.2 V 288FBGA

M393ABG40M52-CAE帶存儲器的雙列直插式存儲模塊 包括用于優(yōu)化時鐘、命令和控制信號的寄存器 通過添加 8 位奇偶校驗信號，實現(xiàn)錯誤糾正

M393AAG40M32-CAE帶存儲器的雙列直插式存儲模塊 包括用于優(yōu)化時鐘、命令和控制信號的寄存器 通過添加 8 位奇偶校驗信號，實現(xiàn)錯誤糾正 支持 x4/x8 組織/每個 DIMM 和 3DPC 配置最高 2 個級別

M471A5244CB0-CWE無緩沖小型雙列直插式存儲模塊 比普通 DIMM 小 支持 x8/x16/每個 DIMM 和 2DPC 配置最高 2 個級別 適用于存在空間受限問題的系統(tǒng)

M471A4G43AB1-CWE無緩沖小型雙列直插式存儲模塊 比普通 DIMM 小 適用于存在空間受限問題的系統(tǒng)

M471A2K43EB1-CTD無緩沖小型雙列直插式存儲模塊 比普通 DIMM 小 支持 x8/x16/每個 DIMM 和 2DPC 配置最高 2 個級別 適用于存在空間受限問題的系統(tǒng)

M471A2K43DB1-CWE無緩沖小型雙列直插式存儲模塊 比普通 DIMM 小 支持 x8/x16/每個 DIMM 和 2DPC 配置最高 2 個級別 適用于存在空間受限問題的系統(tǒng)

M471A1K43EB1-CTD無緩沖小型雙列直插式存儲模塊 比普通 DIMM 小8GB 1R x 8 LPDDR4 2666Mbps 1.2 V 260FBGA

M471A1K43DB1-CWE無緩沖小型雙列直插式存儲模塊 比普通 DIMM 小8GB 1R x 8 LPDDR4 3200Mbps 1.2 V 260FBGA

M378A2K43DB1-CVF無緩沖雙列直插式存儲模塊 無緩沖區(qū)和寄存器：延遲值更小16GB 2R x 8 LPDDR4 2933Mbps 1.2 V 288FBGA