MDDG03R04Q,低內阻大電流，服務器和新能源的好幫手
在服務器電源、工業驅動及新能源領域，MOSFET的性能直接決定系統的能效與可靠性。為滿足高密度、高效率需求，MDD半導體推出全新SGT系列MOSFET，其中MDDG03R04Q（30V N溝道增強型MOS）憑借3.5mΩ低導通電阻與屏蔽柵優化技術，為同步整流、電機驅動等場景提供高效解決方案。
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瞬態響應與動態阻抗：穩壓二極管在干擾敏感電路中的表現
在電源干擾、瞬態沖擊頻繁的電子系統中，穩壓二極管（Zener Diode）不僅承擔著穩壓功能，更是關鍵的鉗位防護器件。尤其在模擬前端、電源參考、ADC/DAC供電、通信接口等對電壓擾動敏感的電路中，其瞬態響應速度和動態阻抗特性將直接影響系統抗擾能力和精度表現。作為FAE，我們需要幫助客戶深入理解這兩個核心特性，以便在設計中正確選型與布局。2025-05-15 閱讀：743 -
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如何設計高可靠性的穩壓電路？MDD穩壓二極管的典型應用實戰
在電子產品的小型化、高效率、長壽命趨勢日益明顯的今天，穩壓電路的可靠性直接關系到整機性能和產品穩定性。作為現場應用工程師（FAE），我們常常會遇到客戶在電路設計中對穩壓方案既要求簡單，又要求高可靠性。在這類需求中，MDD穩壓二極管（Zener Diode）以其結構簡單、成本低廉、響應快速等優點，成為構建高可靠性穩壓電路的理想選擇。2025-05-12 閱讀：481 -
多層級ESD防護體系構建：MDDTVS二極管如何與其他元件協同作戰？
在現代電子系統中，靜電放電（ESD）是一種常見但又極具破壞性的威脅。無論是消費電子、通信設備，還是汽車電子和工業控制系統，ESD都可能導致器件性能下降甚至完全失效。為確保系統長期穩定運行，構建多層級ESD防護體系顯得尤為關鍵。而在這一體系中，MDDTVS（瞬態電壓抑制）二極管作為第一道防線，扮演著核心角色，但其并非“單打獨斗”，而是與其他防護元件協同配合，共同構筑穩固的防護屏障。2025-05-09 閱讀：637 -
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MDDTVS與壓敏電阻的對比分析：哪種才是你的防護首選？
在電子系統防護設計中，應對浪涌電壓、瞬態干擾及靜電放電（ESD）是關鍵任務。MDDTVS（瞬態電壓抑制）二極管和壓敏電阻（MOV）是兩種常用的過壓保護器件，它們在工作原理、響應時間、使用壽命、適用場景等方面各具特點。正確理解這兩者的差異，有助于工程師做出最優的器件選擇，確保系統的穩定與可靠。2025-05-07 閱讀：444 -
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MDDTVS管失效模式大起底：熱擊穿、漏電流升高與反向擊穿...
在電子設計中，MDD-TVS管是保護電路免受瞬態電壓沖擊的重要器件。然而，TVS管本身在惡劣環境或選型、應用不當時，也可能出現失效問題。作為FAE，本文將系統梳理TVS管常見的三大失效模式——熱擊穿、漏電流升高與反向擊穿，幫助大家深入理解失效機理，提升電路防護的可靠性。2025-04-28 閱讀：1236