4 月 7 日，意法半導體 VIPerGaN50能夠簡化最高50 W的單開關反激式功率變換器設計，并集成一個 650V 氮化鎵 (GaN) 功率晶體管，使電源的能效和小型化達到更高水平。

VIPerGaN50 采用單開關拓撲，集成很多功能，包括內置電流采樣和保護電路，采用低成本的 5mm x 6mm 緊湊封裝。芯片內部集成的GaN 晶體管可應用于高開關頻率，從而減小反激變換器的體積和重量。使用這款產品設計先進的高能效開關電源 (SMPS)，可顯著減少外圍元器件的數量。

VIPerGaN50 可幫助設計人員利用 GaN 寬禁帶技術來滿足日益嚴格的生態設計規范，在全球實現節能降耗和凈零碳排放。目標應用包括消費電源和工業電源，例如，電源適配器、USB-PD 充電器，以及家用電器、空調、LED 照明設備和智能儀表的電源。

該變換器有多種不同的工作模式，在所有輸入電壓和負載條件下，可最大限度提高電源能效。在高負載下，準諧振 (QR) 模式配合零壓開關可最大限度地減少導通損耗和電磁輻射 (EMI)。在輕負載下，跳谷底模式可以控制開關損耗，并利用意法半導體專有的谷底鎖定技術防止產生人耳可以聽到的噪聲。頻率折返模式配合零壓開關可確保在輕負載條件下實現盡可能高的能效。自適應間歇工作模式可以在極低負載條件下最大程度降低功率損耗。此外，先進的電源管理功能可將待機功率降至 30mW 以下。

芯片內置功能確保電源的安全性和可靠性，包括輸出過壓保護、brown-in/brown-out，以及輸入過壓保護。還提供輸入電壓前饋補償，以最大限度地減少輸出峰值功率變化。其他安全功能包括嵌入式過溫保護和最大限度地減少 EMI的頻率抖動功能。

VIPerGaN50 現已投產，采用 5mm x 6mm QFN 封裝。該器件有免費樣片，可在意法半導體的網上商城 eSTore 上申購。