4月18日，據DIGITIMES報道，三星電子的3nm GAA工藝良率仍遠遠落后于其目標。根據一份報道，三星正在努力提高其3nm GAA工藝良率，該工藝良率剛剛達到10%至20%之間。三星4nm工藝制造的良率也低于預期，僅為30%-35%。

市場消息人士認為，三星第一代3nm GAA工藝將首先用于三星自研芯片的制造，該工藝不太可能被外部客戶采用。但該消息人士稱，三星的第二代3nm工藝將為外部客戶的芯片設計做好準備，預計明年開始量產。

據稱，三星電子規劃今年實現3納米制程芯片量產，不過業內傳言當前工藝（3GAE）的試產良率不盡如人意，僅達到約兩成，低良率帶來的高成本，使三星在3納米工藝量產初期可能僅用于自有產品生產。