眾所周知，當(dāng)前在晶圓代工上，只有三星能夠與TSMC競(jìng)爭(zhēng)一下了。但事實(shí)上，從市場(chǎng)份額來看，兩者相差還非常大的，TSMC的份額有55％左右，而三星只有20％左右。

三星唯一拿得出手競(jìng)爭(zhēng)的，其實(shí)是自己摻了點(diǎn)水份的工藝，似乎與TSMC不相上下，同時(shí)進(jìn)入5nm，再進(jìn)入4nm，再進(jìn)入3nm，甚至在3nm上，三星還要采用GAAFET技術(shù)，比TSMC的FinFET技術(shù)更先進(jìn)。

之前三星已經(jīng)獲得了高通的支持，高通將自己的5nm芯片驍龍888、4nm芯片8Gen1都交給三星代工。

所以三星信心滿滿，要在3nm時(shí)想辦法追上并超過TSMC，未來成為晶圓代工的龍頭，打敗TSMC。

不過4nm工藝開局不利，三星幫高通代的驍龍8Gen1，表現(xiàn)不給力。更重要的是外界傳聞三星4nm工藝的良率只有35％左右。

也就是說晶圓制造成芯片，只有三分之一是可用的，另外的三分之二是殘次品，導(dǎo)致三星產(chǎn)能低、效率慢，高通都受不了了，要轉(zhuǎn)單TSMC，生產(chǎn)另外一批8Gen1。

而近日，媒體PhoneArena報(bào)道，不僅4nm良率低，三星在試產(chǎn)的3nm良率更是低到離譜。

按照PhoneArena的說法，三星代工廠早期的3nm良率一直在10％至20％之間，比4nm那35％的良率糟糕多了。

為何3nm良率這么低，原因是三星在3nm時(shí)，采用全環(huán)柵極晶體管架構(gòu)（GAAFET），這是業(yè)界首次采用這種技術(shù)，三星也是第一次。

相比于之前從14nm工藝就使用的FinFET晶體管，三星也是完全沒經(jīng)驗(yàn)，再加上本來就難度大，所以導(dǎo)致良率低。

三星肯定目前在大力提升良率，要知道10－20％的良率，根本沒法批量生產(chǎn)，會(huì)導(dǎo)致成本大增，同時(shí)產(chǎn)能大降，畢竟10塊芯片中，才1－2顆可用，其它的8、9顆都是壞的，你說成本會(huì)高到哪里去？只怕生產(chǎn)出來，價(jià)格貴到消費(fèi)者都用不起啊。