臺積電、英特爾、三星等集成電路代工廠正在爭奪最新一代光刻機。

6月17日，臺積電高管在美國硅谷舉行的技術研討會上表示，該公司將在2024年引入荷蘭廠商阿斯麥（ASML）的最新一代EUV（極紫外光）光刻機。

臺積電研發高級副總裁米玉杰在上述研討會上表示：“展望未來，臺積電將在2024年引入高數值孔徑的極紫外（High-NA EUV）光刻機，為的是開發客戶所需相關基礎設施和模式解決方案，進一步推動創新。”

米玉杰并未說明這項設備何時將用于量產。不過，臺積電業務開發資深副總經理張曉強隨后說明，臺積電2024年還不準備運用新的高數值孔徑EUV工具來生產，主要使用目的是跟伙伴進行研究。

隨著芯片工藝越來越復雜先進，無論臺積電、三星還是英特爾都需要采用EUV光刻機。

今年早些時候，ASML對外表示，正在與其合作伙伴一起開發下一代High-NA光刻機 ——Twinscan EXE:5000 系列。據了解，新High-NA光刻機具有0.55NA（High-NA ）的透鏡，分辨率達8納米，將非常復雜、非常龐大且價格昂貴，更有利于3納米及以上制程的工藝制造。

路透社也曾報道，ASML公司已經獲得了 5 個 High-NA 產品的試點訂單，預計將于2024年交付，并有著“超過 5 個”訂單需要從2025年開始交付的量產型號。

之前對EUV技術不看好的英特爾公司現在積極向EUV技術靠攏，并希望能夠率先采用最新一代High-NA光刻機。

英特爾高層之前對外表示，該公司會成為首發用戶，搶下了第一臺0.55NA的EUV光刻機，而且首批6臺中英特爾也占了大頭，臺積電、三星會慢一波。英特爾還表示，2025年將開始以高數值孔徑EUV進行生產。

日前正在歐洲訪問的三星集團副會長、三星集團實際控制人李在镕拜訪ASML。6月17日，韓媒體報道稱，李在镕在荷蘭訪問ASML之后，已經確保取得額外的極紫外光（EUV）微影設備。

參加臺積電上述論壇的產業調查機構TechInsights半導體經濟學家赫奇森（G. Dan Hutcheson）說：“臺積電2024年擁有這種設備的重要性，在于他們更快速接觸到最先進技術。”

赫奇森指出，EUV技術已成為走在尖端的關鍵，高數值孔徑EUV則是推進半導體技術的下一個重大創新。

臺積電北美技術論壇連續兩年以線上方式舉行，今年于美國加州圣塔克拉拉市恢復舉辦實體論壇。

臺積電在論壇上首度推出采用納米片電晶體的新一代先進2納米（N2）制程技術，以及支援N3與N3E制程的獨特TSMC FINFLEX技術，將成為全球第1家率先提供2納米制程代工服務的晶圓廠。